晶体二极管
晶体二极管的根柢构造是由一块 P型半导体和一块N型半导体联络在一同构成一个 PN结。
在PN结的接壤面处，由于P型半导体中的空穴和N型半导体中的电子要彼此向对方涣散而构成一个具有空间电荷的偶极层。
这偶极层阻遏了空穴和电子的持续涣散而使PN结抵达平衡状况。
当PN结的P端（P型半导体那儿）接电源的正极而另一端接负极时，空穴和电子都向偶极层活动而使偶极层变薄，电流很快上升。
假定把电源的方向反过来接，则空穴和电子都违反偶极层活动而使偶极层变厚，一同电流被绑缚在一个很小的饱满值内（称反向饱满电流）。
因而，PN结具有单导游电性。
此外，PN结的偶极层还起一个电容的效果，这电容跟着外加电压的改动而改动。
在偶极层内部电场很强。
当外加反向电压抵达必定阈值时，偶极层内部会发作雪崩击穿而使电流俄然添加几个数量级。
运用PN结的这些特性在各种运用范畴内制成的二极管有：整流二极管、检波二极管、变频二极管、变容二极管、开关二极管、稳压二极管（曾讷二极管）、崩越二极管（磕碰雪崩渡越二极管）和俘越二极管（捕获等离子体雪崩渡越时刻二极管）等。
此外，还有运用PN结格外效应的地道二极管，以及没有PN结的肖脱基二极管和耿氏二极管等。
双极型晶体管
它是由两个PN构构成，其间一个PN结称为发射结，另一个称为集电结。
两个结之间的一薄层半导体资料称为基区。
接在发射结一端和集电结一端的两个电极分别称为发射极和集电极。
接在基区上的电极称为基极。
在运用时，发射结处于正向偏置，集电极处于反向偏置。
经过发射结的电流使很多的少量载流子写入到基区里，这些少量载流子靠涣散搬家到集电结而构成集电极电流，只需很少量的少量载流子在基区内复合而构成基极电流。
集电极电流与基极电流之比称为共发射极电流拓宽系数。
在共发射极电路中，纤细的基极电流改动能够操控很大的集电极电流改动，这便是双极型晶体管的电流拓宽效应。
双极型晶体管可分为NPN型和PNP型两类。
场效应晶体管
它依托一块薄层半导体受横向电场影响而改动其电阻（简称场效应），使具有拓宽信号的功用。
这薄层半导体的两头接两个电极称为源和漏。
操控横向电场的电极称为栅。
依据栅的构造，场效应晶体管能够分为三种：
①结型场效应管（用PN构构成栅极）；
②MOS场效应管（用金属-氧化物－半导体构成栅极，见金属－绝缘体－半导体体系）；
③MES场效应管（用金属与半导体触摸构成栅极）；其间MOS场效应管运用最广泛。
格外在大计划集成电路的翻开中，MOS大计划集成电路具有格外的优胜性。
MES场效应管一般用在GaAs微波晶体管上。
在MOS器材的根底上，又翻开出一种电荷耦合器材 （CCD），它是以半导体外表邻近存储的电荷作为信息，操控外表邻近的势阱使电荷在外表邻近向某一方向搬运。
这种器材一般能够用作推延线和存储器等；配上光电二极管列阵，可用作摄像管。
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