徕卡碳化硅晶圆传输用于碳化硅是宽禁带半导体器件制造的核心材料，SiC器件具有高频、大功率、耐高温、耐辐射、抗干扰、体积小、重量轻等诸多优势，是目前硅和砷化镓等半导体材料所的，应用前景十分广阔，是核心器件发展需要的关键材料，由于其加工难度大，一直未能得到大规模推广应用。
碳化硅材料的加工难度体现在：
(1)硬度大，莫氏硬度分布在9.2～9.6；
(2)化学稳定性高，几乎不与任何强酸或强碱发生反应；
(3)加工设备尚不成熟。
因此，围绕碳化硅晶圆划片工艺和设备展开研究，对推动我国碳化硅新型电子元器件的发展，促进第三代半导体产业发展有着积极的意义。
1碳化硅材料特性
碳化硅是ⅠⅤ-ⅠⅤ族二元化合物半导体，具有很强的离子共价键，结合能量稳定，具有优越的力学、化学性能。
材料带隙即禁带能量决定了器件很多性能，包括光谱响应、抗辐射、工作温度、击穿电压等，碳化硅禁带宽度大。
如的4H-SiC禁带能量是3.23eV，因此，具有良好的紫外光谱响应特性，被用于制作紫外光电二极管。
SiC临界击穿电场比常用半导体硅和砷化镓大很多，其制作的器件具有很好的耐高压特性。
另外，击穿电场和热导率决定器件的最大功率传输能力，SiC热导率高达5W/(cm·K)，比许多金属还要高，因此非常适合做高温、大功率器件和电路。
碳化硅热稳定性很好，可以工作在300～600℃。
碳化硅硬度高，耐磨性好，常用来研磨或切割其它材料，这就意味着碳化硅衬底的划切非常棘手。
碳化硅晶圆传输
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